Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMN2011UFX-7
Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

Номер детали производителя DMN2011UFX-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Упаковка V-DFN2050-4
В наличии 375605 pcs
Техническая спецификация DMN2011UFXMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.296 $0.262 $0.2 $0.158 $0.127
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 375605 Diodes Incorporated DMN2011UFX-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства V-DFN2050-4
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Мощность - Макс 2.1W
Упаковка / 4-VFDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2248pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12.2A (Ta)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта DMN2011

Рекомендуемые продукты

DMN2011UFX-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация