DMJ70H1D4SV3
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 6513 Diodes Incorporated DMJ70H1D4SV3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±30V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-251
Серии
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)
78W (Tc)
Упаковка /
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта
Значение атрибута
Тип установки
Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
342 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)
700 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
5A (Tc)
Базовый номер продукта
DMJ70
Рекомендуемые продукты
DMJ7N70SK3-13
MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Diodes Incorporated
DMJ65H430SCTI
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
Diodes Incorporated
DMJ70H601SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Diodes Incorporated
DMJ70H900HJ3
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SI3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Diodes Incorporated
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SK3-13
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Diodes Incorporated
DMJ65H190SCTI
MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A
Diodes Incorporated
TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
Toshiba Semiconductor and Storage
DMJT9435-13
TRANS PNP 30V 3A SOT223-3
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SH3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D0SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SJ3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D4SJ3
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TU
Diodes Incorporated
DMJ2833-000
RF DIODE SCHOTTKY 75MW 504-012
Skyworks Solutions Inc.
DMJ3931-000
HIGH DRIVE BRIDGE QUAD CHIP
Skyworks Solutions Inc.
DMJ70H601SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D5SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Diodes Incorporated
DMJ70H1D4SV3 DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор
