DMJ70H1D3SK3-13
| Номер детали производителя | DMJ70H1D3SK3-13 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T& |
| Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
| В наличии | 212972 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 |
|---|
| $0.223 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 212972 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SK3-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 57W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 264 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 700 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
DMJ70H1D0SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251Diodes Incorporated -
DMJ70H1D3SH3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251Diodes Incorporated -
DMJ70H601SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251Diodes Incorporated -
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3Infineon Technologies -
DMJ3931-000
HIGH DRIVE BRIDGE QUAD CHIPSkyworks Solutions Inc. -
DMJ2833-000
RF DIODE SCHOTTKY 75MW 504-012Skyworks Solutions Inc. -
DMJ70H900HJ3
MOSFET N-CH 700V 7A TO251Diodes Incorporated -
DMJ70H1D4SJ3
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TUDiodes Incorporated -
DMJ65H430SCTI
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220ADiodes Incorporated -
DMJ70H1D3SI3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251Diodes Incorporated -
DMJ7N70SK3-13
MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252Diodes Incorporated -
DMJ70H1D5SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251Diodes Incorporated -
DMJ70H1D3SJ3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251Diodes Incorporated -
DMJ65H190SCTI
MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220ADiodes Incorporated -
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220ABDiodes Incorporated -
DMJ70H1D4SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251Diodes Incorporated -
DMJ70H601SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252Diodes Incorporated -
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251Diodes Incorporated -
GT105N10K
MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252Goford Semiconductor -
DMJT9435-13
TRANS PNP 30V 3A SOT223-3Diodes Incorporated