Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > DMG9N65CTI
DMG9N65CTI Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMG9N65CTI

Номер детали производителя DMG9N65CTI
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Упаковка ITO-220AB
В наличии 5457 pcs
Техническая спецификация DMG9N65CTIDiodes Environmental Compliance CertMult Devices EOL 05/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 5457 Diodes Incorporated DMG9N65CTI в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ITO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 13W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2310 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
Базовый номер продукта DMG9

Рекомендуемые продукты

DMG9N65CTI DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для DMG9N65CTI

Связанные детали для DMG9N65CTI