DMG8880LSS-13

Номер детали производителя	DMG8880LSS-13
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
Упаковка	8-SO
В наличии	4382 pcs
Техническая спецификация	DMG8880LSS Multiple Device Changes 29/Apr/2013 Bond Wire 11/Nov/2011 Select Discrete Devices 20/Feb/2014 Diodes Environmental Compliance Cert Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 4382 Diodes Incorporated DMG8880LSS-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SO
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 11.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.43W (Ta)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1289 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	27.6 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.6A (Ta)
Базовый номер продукта	DMG8880