DMG7702SFG-13

Номер детали производителя	DMG7702SFG-13
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Упаковка	PowerDI3333-8
В наличии	6880 pcs
Техническая спецификация	DMG7702SFG Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020 Diodes Environmental Compliance Cert Mult Devices EOL 05/Feb/2019 Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 6880 Diodes Incorporated DMG7702SFG-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerDI3333-8
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 13.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	890mW (Ta)
Упаковка /	8-PowerVDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	4310 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	14.7 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	Schottky Diode (Body)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Ta)
Базовый номер продукта	DMG7702