Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

Номер детали производителя DMG6602SVT-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Упаковка TSOT-26
В наличии 1173534 pcs
Техническая спецификация Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015Diodes Environmental Compliance CertDMG6602SVT
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.154 $0.115 $0.072 $0.049 $0.038
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1173534 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TSOT-26
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
Мощность - Макс 840mW
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 400pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate, 4.5V Drive
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.4A, 2.8A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта DMG6602

Рекомендуемые продукты

DMG6602SVT-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация