Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Номер детали производителя DMG5802LFX-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Упаковка W-DFN5020-6
В наличии 166664 pcs
Техническая спецификация DMG5802LFXBond Wire 11/Nov/2011Diodes Environmental Compliance CertParts Removed 18/Sep/2018
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.211
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 166664 Diodes Incorporated DMG5802LFX-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства W-DFN5020-6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Мощность - Макс 980mW
Упаковка / 6-VFDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1066.4pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31.3nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 24V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.5A
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта DMG5802

Рекомендуемые продукты

DMG5802LFX-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация