Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF5210STRLPBF

Номер детали производителя	IRF5210STRLPBF
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Упаковка	D2PAK
В наличии	51153 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017 Packing Material Update 16/Sep/2016 IR Part Numbering System Material Chg 24/Nov/2015 Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100
$1.192	$1.069	$0.876

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 51153 Infineon Technologies IRF5210STRLPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	D2PAK
Серии	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2780 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	230 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	38A (Tc)
Базовый номер продукта	IRF5210