Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF5210LPBF
Infineon Technologies

IRF5210LPBF

Номер детали производителя IRF5210LPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Упаковка TO-262
В наличии 4819 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemTube Pkg MOQ Standardization 28/Jul/2017Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4819 Infineon Technologies IRF5210LPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-262
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 38A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2780 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38A (Tc)
Базовый номер продукта IRF5210

Рекомендуемые продукты

IRF5210LPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация