Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF520NSTRRPBF

Номер детали производителя	IRF520NSTRRPBF
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Упаковка	D2PAK
В наличии	4690 pcs
Техническая спецификация	IRF520N(S,L)PbF IR Part Numbering System

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4690 Infineon Technologies IRF520NSTRRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	D2PAK
Серии	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 5.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.8W (Ta), 48W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	330 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9.7A (Tc)