IPI030N10N3GXKSA1
| Номер детали производителя | IPI030N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| Упаковка | PG-TO262-3 |
| В наличии | 5476 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017Mult Dev EOL 13/Apr/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5476 Infineon Technologies IPI030N10N3GXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO262-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPI030 |
Рекомендуемые продукты
-
IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GE8214AKSA1
MOSFET N-CH 60V TO262-3Infineon Technologies -
IPI041N12N3G
IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI023NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262Infineon Technologies