IPI029N06NAKSA1
Номер детали производителя | IPI029N06NAKSA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3 |
Упаковка | PG-TO262-3 |
В наличии | 97732 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Wafer Site Add 1/Aug/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.951 | $0.853 | $0.686 | $0.563 | $0.467 | $0.435 | $0.419 | $0.408 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 97732 Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO262-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPI029 |
Рекомендуемые продукты
-
IPI041N12N3G
IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262Infineon Technologies -
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI023NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GE8214AKSA1
MOSFET N-CH 60V TO262-3Infineon Technologies