IPI084N06L3GXKSA1
| Номер детали производителя | IPI084N06L3GXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 |
| Упаковка | PG-TO262-3-1 |
| В наличии | 4892 pcs |
| Техническая спецификация | IPx084N06L3GPart Number GuideMult Devices EOL 08/May/2019OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4892 Infineon Technologies IPI084N06L3GXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO262-3-1 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 79W (Tc) |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4900 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPI084N |
Рекомендуемые продукты
-
IPI072N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3Infineon Technologies -
IPI086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI076N15N5AKSA1
MV POWER MOSInfineon Technologies -
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI075N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI100N04S303MATMA2
MOSFET N-CH TO262-3Infineon Technologies -
IPI075N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI072N10N3G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3Infineon Technologies -
IPI100N04S3-03
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI100N04S303MATMA1
MOSFET N-CH TO262-3Infineon Technologies -
IPI075N15N3G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3Infineon Technologies -
IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI072N10N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI076N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3Infineon Technologies