Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPBH6N03LA

Номер детали производителя	IPBH6N03LA
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Упаковка	PG-TO263-3-2
В наличии	3851 pcs
Техническая спецификация	IPBH6N03LA G Part Number Guide Multiple Devices 04/Jun/2009

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3851 Infineon Technologies IPBH6N03LA в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 30µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-3-2
Серии	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	71W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2390 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Базовый номер продукта	IPBH6N