IPBE65R075CFD7AATMA1

Номер детали производителя	IPBE65R075CFD7AATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Упаковка	PG-TO263-7-3-10
В наличии	14092 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev DC Chg 5/May/2021

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$4.416	$3.989	$3.302	$2.876

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 14092 Infineon Technologies IPBE65R075CFD7AATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 820µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-7-3-10
Серии	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 16.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	171W (Tc)
Упаковка /	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	3288 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	32A (Tc)
Базовый номер продукта	IPBE65