IPBE65R190CFD7AATMA1

Номер детали производителя	IPBE65R190CFD7AATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
Упаковка	PG-TO263-7-11
В наличии	26733 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev DC Chg 5/May/2021

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$2.046	$1.837	$1.505	$1.281

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 26733 Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 320µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-7-11
Серии	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 6.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	77W (Tc)
Упаковка /	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1291 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14A (Tc)
Базовый номер продукта	IPBE65