IPB90N06S404ATMA1
Номер детали производителя | IPB90N06S404ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 6334 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6334 Infineon Technologies IPB90N06S404ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 10400 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB90N |
Рекомендуемые продукты
-
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3International Rectifier (Infineon Technologies) -
IPB90N06S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3Infineon Technologies -
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3Infineon Technologies -
IPB90R340C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAKInfineon Technologies -
IPBD-02-D
CONN RCPT HSG 4POS 4.20MMSamtec Inc. -
IPBD-02-D-K
CONN RCPT HSG 4POS 4.20MMSamtec Inc. -
IPB90N06S4L04ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80R290C3AATMA1
MOSFET P-CH TO263-3Infineon Technologies -
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80R290C3A
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB90R340C3ATMA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3Infineon Technologies -
IPB95R130PFD7ATMA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB95R310PFD7ATMA1
LOW POWER_NEWInfineon Technologies -
IPB80P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80P04P4L08ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies