Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB90N04S402ATMA1
IPB90N04S402ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB90N04S402ATMA1

Номер детали производителя IPB90N04S402ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 49165 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.269 $1.138 $0.932 $0.794
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 49165 Infineon Technologies IPB90N04S402ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 95µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9430 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Tc)
Базовый номер продукта IPB90N04

Рекомендуемые продукты

IPB90N04S402ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация