Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB80P04P4L08ATMA2
IPB80P04P4L08ATMA2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB80P04P4L08ATMA2

Номер детали производителя IPB80P04P4L08ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 86178 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022IPx80P04P4L-08*
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$0.923 $0.831 $0.668 $0.549
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 86178 Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 120µA
Vgs (макс.) +5V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии OptiMOS®-P2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 80A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 75W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5430 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта IPB80P

Рекомендуемые продукты

IPB80P04P4L08ATMA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация