Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies

IMW65R107M1HXKSA1

Номер детали производителя IMW65R107M1HXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Упаковка PG-TO247-3-41
В наличии 13198 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$4.429 $4.001 $3.313 $2.885 $2.513
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 13198 Infineon Technologies IMW65R107M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.7V @ 3mA
Vgs (макс.) +23V, -5V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO247-3-41
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 142mOhm @ 8.9A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 75W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 496 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)
Базовый номер продукта IMW65R107

Рекомендуемые продукты

IMW65R107M1HXKSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IMW65R107M1HXKSA1

Связанные детали для IMW65R107M1HXKSA1