Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IMW120R060M1HXKSA1

Номер детали производителя IMW120R060M1HXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Упаковка PG-TO247-3-41
В наличии 11862 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$5.363 $4.927 $4.161 $3.702 $3.396
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 11862 Infineon Technologies IMW120R060M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.7V @ 5.6mA
Vgs (макс.) +23V, -7V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO247-3-41
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1060 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 36A (Tc)
Базовый номер продукта IMW120

Рекомендуемые продукты

IMW120R060M1HXKSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IMW120R060M1HXKSA1

Связанные детали для IMW120R060M1HXKSA1