IMW120R350M1HXKSA1
Номер детали производителя | IMW120R350M1HXKSA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 |
Упаковка | PG-TO247-3-41 |
В наличии | 21716 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$3.09 | $2.791 | $2.311 | $2.012 | $1.752 | $1.688 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 21716 Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Vgs (макс.) | +23V, -7V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-3-41 |
Серии | CoolSiC™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 60W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 182 pF @ 800 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.3 nC @ 18 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Базовый номер продукта | IMW120 |
Рекомендуемые продукты
-
IMW65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMW120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
NDD03N80ZT4G
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3onsemi -
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3Infineon Technologies -
IMW120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
5LN01SP
MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPAonsemi -
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3Infineon Technologies -
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies