Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FZ1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies

FZ1200R17KE3B2NOSA1

Номер детали производителя FZ1200R17KE3B2NOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 1700V 1200A
Упаковка Module
В наличии 5936 pcs
Техническая спецификация FZ1200R17KE3_B2Part Number GuideMult Dev Label Des Chg 26/Feb/2019Mult Device EOL 8/Dec/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5936 Infineon Technologies FZ1200R17KE3B2NOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1700 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.45V @ 15V, 1.2kA
Поставщик Упаковка устройства -
Серии IHM-B
Мощность - Макс 8950 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 110 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1900 A
конфигурация Single Switch

Рекомендуемые продукты

FZ1200R17KE3B2NOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FZ1200R17KE3B2NOSA1

Связанные детали для FZ1200R17KE3B2NOSA1