Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FZ1200R12HE4HOSA2
Infineon Technologies

FZ1200R12HE4HOSA2

Номер детали производителя FZ1200R12HE4HOSA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 1200A
Упаковка Module
В наличии 180 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Label Des Chg 26/Feb/2019Mult Dev Source Add 10/Sep/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10
$249.183 $241.925
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 180 Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 1.2kA
Поставщик Упаковка устройства -
Серии IHM-B
Мощность - Макс 7150 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 74 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1825 A
конфигурация Single Switch
Базовый номер продукта FZ1200

Рекомендуемые продукты

FZ1200R12HE4HOSA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация