Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FZ1000R33HE3C1NOSA1
Infineon Technologies

FZ1000R33HE3C1NOSA1

Номер детали производителя FZ1000R33HE3C1NOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
Упаковка AG-IHVB130-3
В наличии 0 pcs
Техническая спецификация
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 0 Infineon Technologies FZ1000R33HE3C1NOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 3300 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 3.1V @ 15V, 1kA
Поставщик Упаковка устройства AG-IHVB130-3
Серии IHM-B
Мощность - Макс 1600000 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 190 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1000 A
конфигурация Single Switch
Базовый номер продукта FZ1000

Рекомендуемые продукты

FZ1000R33HE3C1NOSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для FZ1000R33HE3C1NOSA1

Связанные детали для FZ1000R33HE3C1NOSA1