Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NVBG160N120SC1
onsemi

NVBG160N120SC1

Номер детали производителя NVBG160N120SC1
производитель onsemi
Подробное описание SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Упаковка D2PAK-7
В наличии 9170 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSPACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022NVBG160N120SC1
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$5.312 $4.882 $4.123
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 9170 onsemi NVBG160N120SC1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 2.5mA
Vgs (макс.) +25V, -15V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK-7
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 136W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 678 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 33.8 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19.5A (Tc)
Базовый номер продукта NVBG160

Рекомендуемые продукты

NVBG160N120SC1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NVBG160N120SC1

Связанные детали для NVBG160N120SC1