Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NVB25P06T4G
NVB25P06T4G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NVB25P06T4G

Номер детали производителя NVB25P06T4G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Упаковка D²PAK
В наличии 4636 pcs
Техническая спецификация 1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018Mult Dev EOL 20/Dec/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTB25P06Cancellation 13/Aug/2020
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4636 onsemi NVB25P06T4G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±15V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 120W (Tj)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1680 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 27.5A (Ta)
Базовый номер продукта NVB25P

Рекомендуемые продукты

NVB25P06T4G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NVB25P06T4G

Связанные детали для NVB25P06T4G