Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NVBG095N065SC1
onsemi

NVBG095N065SC1

Номер детали производителя NVBG095N065SC1
производитель onsemi
Подробное описание SIC MOS D2PAK-7L 650V
Упаковка D2PAK-7
В наличии 8036 pcs
Техническая спецификация NVBG095N065SC1
Справочная цена (В долларах США)
800
$4.196
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 8036 onsemi NVBG095N065SC1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 4mA
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK-7
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 12A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 110W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 956 pF @ 325 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Базовый номер продукта NVBG095

Рекомендуемые продукты

NVBG095N065SC1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NVBG095N065SC1

Связанные детали для NVBG095N065SC1