Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTHD2102PT1
NTHD2102PT1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTHD2102PT1

Номер детали производителя NTHD2102PT1
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Упаковка ChipFET™
В наличии 5026 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 11/Feb/2009onsemi REACHonsemi RoHSNTHD2102P
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5026 onsemi NTHD2102PT1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ChipFET™
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Мощность - Макс 1.1W
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 715pF @ 6.4V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16nC @ 2.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.4A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта NTHD21

Рекомендуемые продукты

NTHD2102PT1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTHD2102PT1

Связанные детали для NTHD2102PT1