Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTHC5513T1G
NTHC5513T1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTHC5513T1G

Номер детали производителя NTHC5513T1G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Упаковка ChipFET™
В наличии 178729 pcs
Техническая спецификация Covering Tape/Material Chg 20/May/2016Obsolete Notice 15/Dec/2022onsemi RoHSNTHC5513
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.479 $0.427 $0.333 $0.275 $0.217
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 178729 onsemi NTHC5513T1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ChipFET™
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Мощность - Макс 1.1W
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 180pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.9A, 2.2A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта NTHC5513

Рекомендуемые продукты

NTHC5513T1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTHC5513T1G

Связанные детали для NTHC5513T1G