Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTH4L080N120SC1
onsemi

NTH4L080N120SC1

Номер детали производителя NTH4L080N120SC1
производитель onsemi
Подробное описание SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Упаковка TO-247-4L
В наличии 10139 pcs
Техническая спецификация Dimension/Color Change 24/Feb/2021onsemi REACHonsemi RoHSPacking quantity increase 28/Dec/2020NTH4L080N120SC1
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$5.214 $4.793 $4.048 $3.601 $3.303
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 10139 onsemi NTH4L080N120SC1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA
Vgs (макс.) +25V, -15V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247-4L
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 170W (Tc)
Упаковка / TO-247-4
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1670 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 29A (Tc)
Базовый номер продукта NTH4L080

Рекомендуемые продукты

NTH4L080N120SC1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTH4L080N120SC1

Связанные детали для NTH4L080N120SC1