W97AH2KBQX2E
Номер детали производителя | W97AH2KBQX2E |
---|---|
производитель | Winbond Electronics |
Подробное описание | IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA |
Упаковка | 168-WFBGA (12x12) |
В наличии | 4325 pcs |
Техническая спецификация | W97AH(2,6)KB2.73KHzCylindrical Battery Holders2.73KHz |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Winbond Electronics.У нас есть кусочки 4325 Winbond Electronics W97AH2KBQX2E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.14V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Поставщик Упаковка устройства | 168-WFBGA (12x12) |
Серии | - |
Упаковка / | 168-WFBGA |
Упаковка | Tray |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 1Gbit |
Организация памяти | 32M x 32 |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 400 MHz |
Базовый номер продукта | W97AH2 |
Рекомендуемые продукты
-
W97AH2NBVA1I TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBQX2E
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W97AH2KBVX2I
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA2E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX2E TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBQX2I
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1E
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1I
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA2I
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX2E
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA1E
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA1I
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2KBQX2I
IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2KBVX2E
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGAWinbond Electronics -
W97AH2NBVA2E
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX2I
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics