W979H2KBVX1I
| Номер детали производителя | W979H2KBVX1I |
|---|---|
| производитель | Winbond Electronics |
| Подробное описание | IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
| Упаковка | 134-VFBGA (10x11.5) |
| В наличии | 18876 pcs |
| Техническая спецификация | W979H6KB, W979H2KB |
Справочная цена (В долларах США)
| 168 |
|---|
| $2.357 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Winbond Electronics.У нас есть кусочки 18876 Winbond Electronics W979H2KBVX1I в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Поставщик Упаковка устройства | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 134-VFBGA |
| Упаковка | Tray |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 512Mbit |
| Организация памяти | 16M x 32 |
| Интерфейс памяти | HSUL_12 |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 533 MHz |
| Базовый номер продукта | W979H2 |
Рекомендуемые продукты
-
W979H6KBQX2I
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBQX2E
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1I
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBQX2E
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2I
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1E
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2I TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX1I TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2E
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX1I
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2E TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1E
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2I
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBQX2I
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2E
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics