Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQS405ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS405ENW-T1_GE3

Номер детали производителя SQS405ENW-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 197146 pcs
Техническая спецификация SQS405ENSQS405ENW DatasheetSQS405ENW 3-1-23
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.433 $0.386 $0.301 $0.248 $0.196
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 197146 Vishay Siliconix SQS405ENW-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 39W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2650 pF @ 6 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 75 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16A (Tc)
Базовый номер продукта SQS405

Рекомендуемые продукты

SQS405ENW-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SQS405ENW-T1_GE3

Связанные детали для SQS405ENW-T1_GE3