Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQS180ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS180ENW-T1_GE3

Номер детали производителя SQS180ENW-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Упаковка PowerPAK® 1212-8SLW
В наличии 229314 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.437 $0.391 $0.305 $0.252 $0.199
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 229314 Vishay Siliconix SQS180ENW-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SLW
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® GenIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.67mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 119W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SLW
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount, Wettable Flank
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3092 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 72A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SQS180ENW-T1_GE3 DataSheet PDF