SQM120P04-04L_GE3
Номер детали производителя | SQM120P04-04L_GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET P-CH 40V 120A TO263 |
Упаковка | TO-263 (D²Pak) |
В наличии | 38316 pcs |
Техническая спецификация | New Ordering Code 19/Mar/2015Process Change 11/Apr/2023SQM120P04-04L-GE3 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$1.437 | $1.289 | $1.056 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 38316 Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 (D²Pak) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 375W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 13980 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Базовый номер продукта | SQM120 |
Рекомендуемые продукты
-
SQM200JB-0R15
RES 0.15 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM200JB-0R16
RES 0.16 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM200JB-0R2
RES 0.2 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM120N04-1M4L_GE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQM200JB-0R18
RES 0.18 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM120N04-1M9_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM200JB-0R12
RES 0.12 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N04-1M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM200JB-0R1
RES 0.1 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM120N06-06_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM200JB-0R13
RES 0.13 OHM 5% 2W RADIALYAGEO -
SQM120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N-CH 20V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N03-1M5L_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM200JB-0R11
RES 0.11 OHM 5% 2W RADIALYAGEO