Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQM120N03-1M5L_GE3
SQM120N03-1M5L_GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SQM120N03-1M5L_GE3

Номер детали производителя SQM120N03-1M5L_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Упаковка TO-263
В наличии 32568 pcs
Техническая спецификация New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-082-2014-Rev-1 22/Sep/2014SQM120N03-1M5L-GE3
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$1.354 $1.215 $0.995
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 32568 Vishay Siliconix SQM120N03-1M5L_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 375W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 15605 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 270 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Базовый номер продукта SQM120

Рекомендуемые продукты

SQM120N03-1M5L_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация