Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

Номер детали производителя SQJ456EP-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 37752 pcs
Техническая спецификация New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014SQJ456EP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.965 $1.766 $1.447 $1.232 $1.039
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 37752 Vishay Siliconix SQJ456EP-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 9.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 83W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3342 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 32A (Tc)
Базовый номер продукта SQJ456

Рекомендуемые продукты

SQJ456EP-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация