SQJ422EP-T1_BE3
| Номер детали производителя | SQJ422EP-T1_BE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 161521 pcs |
| Техническая спецификация | SQJ422EP-T1-GE3 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.614 | $0.549 | $0.428 | $0.354 | $0.279 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 161521 Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_BE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 83W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4660 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 75A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SQJ422 |
Рекомендуемые продукты
-
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ431AEP-T1_BE3
P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SQJ423EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ433EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ416EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ431EP-T2_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ420EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ433EP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ418EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ443EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQJ423EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ418EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SQJ420EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQJ415EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SQJ415EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix