Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ262EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

Номер детали производителя SQJ262EP-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
В наличии 161542 pcs
Техническая спецификация SQJ262EP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.509 $0.455 $0.355 $0.293 $0.231
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 161542 Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Мощность - Макс 27W (Tc), 48W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Tc), 40A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQJ262

Рекомендуемые продукты

SQJ262EP-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация