Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ202EP-T2_GE3
Vishay Siliconix

SQJ202EP-T2_GE3

Номер детали производителя SQJ202EP-T2_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C M
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
В наличии 175869 pcs
Техническая спецификация Process Change 11/Apr/2023SQJ202EP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.506 $0.451 $0.352 $0.291 $0.229
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 175869 Vishay Siliconix SQJ202EP-T2_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Мощность - Макс 27W (Tc), 48W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc), 60A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQJ202

Рекомендуемые продукты

SQJ202EP-T2_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация