SQ9945BEY-T1_GE3
| Номер детали производителя | SQ9945BEY-T1_GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET 2N-CH 60V 5.4A |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 180884 pcs |
| Техническая спецификация | New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014SQ9945BEY-T1-GE3 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.403 | $0.359 | $0.28 | $0.231 | $0.182 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 180884 Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3.4A, 10V |
| Мощность - Макс | 4W |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.4A |
| конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Базовый номер продукта | SQ9945 |
Рекомендуемые продукты
-
NTTFD022N10C
100V DUAL N-CH MOSFETonsemi -
EPC2100ENG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIEEPC -
UPA2379T1P-E1-A
MOSFET 2N-CH 12VRenesas Electronics America Inc -
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix -
AO4840E
MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 6A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
SQJ570EP-T1_BE3
N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175Vishay Siliconix -
FDS3992
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4Fairchild Semiconductor -
WAS175M12BM3
SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,Wolfspeed, Inc. -
APTC60HM70T1G
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1Microchip Technology -
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOICVishay Siliconix -
SQ9407EY-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOICVishay Siliconix -
CSD87335Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 8LSONN/A -
MSCSM170HRM11NG
PM-MOSFET-SIC-SP6CMicrochip Technology -
DMN1250UFEL-7
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1Diodes Incorporated -
UPA1760G-E1-AT
UPA1760G-E1-AT - SWITCHING N-CHARenesas -
AONY36354
30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MOAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
XP0487800L
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6PPanasonic Electronic Components -
SQ9945BEY-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.4AVishay Siliconix -
SI5517DU-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETVishay Siliconix -
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SOVishay Siliconix