Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIRA18BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA18BDP-T1-GE3

Номер детали производителя SIRA18BDP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 498620 pcs
Техническая спецификация SIRA 04/Mar/2022SIRA18BDP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.186 $0.158 $0.118 $0.093 $0.072
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 498620 Vishay Siliconix SIRA18BDP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 680 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc)
Базовый номер продукта SIRA18

Рекомендуемые продукты

SIRA18BDP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIRA18BDP-T1-GE3

Связанные детали для SIRA18BDP-T1-GE3