SIR882DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 101102 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR882DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.904 | $0.813 | $0.653 | $0.537 | $0.445 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 101102 Vishay Siliconix SIR882DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1930 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIR882 |
Рекомендуемые продукты
-
SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAKVishay Siliconix -
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR880BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIRA00DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAKVishay Siliconix -
SIRA02DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR888DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8Vishay Siliconix -
SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR878DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR890DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR892DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR928-6C-F
EMITTER IR 875NM 100MA RADIALEverlight Electronics Co Ltd -
SIR876DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR876BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR878ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIRA06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix