SIR188LDP-T1-RE3

Номер детали производителя	SIR188LDP-T1-RE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка	PowerPAK® SO-8
В наличии	141418 pcs
Техническая спецификация	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Mult Dev 07/Jun/2023 New solder paste 26/May/2023 SIR188LDP

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.586	$0.525	$0.409	$0.338	$0.267

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 141418 Vishay Siliconix SIR188LDP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® SO-8
Серии	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Упаковка /	PowerPAK® SO-8
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2300 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25.8A (Ta), 93.6A (Tc)