SIR1309DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIR1309DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 243896 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR1309DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.368 | $0.324 | $0.248 | $0.196 | $0.157 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 243896 Vishay Siliconix SIR1309DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3250 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
SIR140DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIR165DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR164DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR164ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAKVishay Siliconix -
SIR12-21C/TR8
EMITTER IR 875NM 65MA 1208Everlight Electronics Co Ltd -
SIR104LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAKVishay Siliconix -
SIR167DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAKVishay Siliconix -
SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAKVishay Siliconix -
SIR122DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR158DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAKVishay Siliconix -
SIR150DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAKVishay Siliconix -
SIR120DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAKVishay Siliconix -
SIR106ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAKVishay Siliconix -
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAKVishay Siliconix