Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHU5N80AE-GE3
Vishay Siliconix

SIHU5N80AE-GE3

Номер детали производителя SIHU5N80AE-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
Упаковка TO-251AA
В наличии 227920 pcs
Техническая спецификация SIHU5N80AE
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.489 $0.437 $0.34 $0.281 $0.222 $0.207 $0.197 $0.189
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 227920 Vishay Siliconix SIHU5N80AE-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251AA
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 62.5W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 321 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.4A (Tc)
Базовый номер продукта SIHU5

Рекомендуемые продукты

SIHU5N80AE-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHU5N80AE-GE3

Связанные детали для SIHU5N80AE-GE3