SIHU2N80E-GE3
| Номер детали производителя | SIHU2N80E-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
| Упаковка | TO-251AA |
| В наличии | 151981 pcs |
| Техническая спецификация | SIHU2N80E |
Справочная цена (В долларах США)
| 3000 |
|---|
| $0.275 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 151981 Vishay Siliconix SIHU2N80E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-251AA |
| Серии | E |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIHU2 |
Рекомендуемые продукты
-
SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAKVishay Siliconix -
SIHU6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A IPAKVishay Siliconix -
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAKVishay Siliconix -
SIHU5N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AAVishay Siliconix -
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247Vishay Siliconix -
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AAVishay Siliconix -
SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABVishay Siliconix -
SIHP8N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABVishay Siliconix -
SIHU5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251Vishay Siliconix -
SIHU2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AAVishay Siliconix -
SIHP7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220ABVishay Siliconix -
SIHP7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220ABVishay Siliconix -
SIHS20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247Vishay Siliconix -
SIHU3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251Vishay Siliconix -
SIHS90N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,Vishay Siliconix -
SIHU5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AAVishay Siliconix -
SIHS36N50D-GE3
D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,Vishay Siliconix -
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAKVishay Siliconix -
SIHS90N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247Vishay Siliconix -
SIHU6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A IPAKVishay Siliconix