Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHP11N80E-BE3
Vishay Siliconix

SIHP11N80E-BE3

Номер детали производителя SIHP11N80E-BE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 800V
Упаковка TO-220AB
В наличии 58064 pcs
Техническая спецификация SIHP11N80E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.36 $1.221 $1.001 $0.852 $0.719 $0.683 $0.657
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 58064 Vishay Siliconix SIHP11N80E-BE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 179W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1670 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIHP11N80E-BE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHP11N80E-BE3

Связанные детали для SIHP11N80E-BE3